基于A1材料的掺铜金属布线工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN02137196.2
IPC分类号：--
申请日期：
2002-09-27
申请人：
上海华虹（集团）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于A1材料的掺铜金属布线工艺
申请号	CN02137196.2	申请日期	2002-09-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-04-30	公开/公告号	CN1414623
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海华虹（集团）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区碧波路177号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹（集团）有限公司,上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海华虹（集团）有限公司,上海集成电路研发中心有限公司
发明人	徐小诚;缪炳有
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陶金龙;陆飞

摘要

本发明是一种基于Al金属布线的工艺，其主要特点是：利用物理淀积的方法，在同一台设备中连续淀积Ta、TaN、Ta、Al、TaN等多层薄膜，其中，Al金属中加入Cu和Si原子，以提高Al金属布线的抗电迁移能力。在Al层下面为复合阻挡层，可防止Al和Cu向硅片和介质中的扩散，Al金属层的淀积采用低温和高温两步法淀积。低温淀积的Al籽晶层具有良好的致密性，高温淀积Al层具有较高的、填孔性和回流效果。在Al金属层上面的TaN层，可以作为阻挡层，作为顶部覆盖层和光刻的抗反射层。这种基于Al的布线工艺，可以适用于目前Al金属布线的大规模集成电路生产线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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