非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法和用途

发明专利无效专利

申请号：
CN201710331977.5
IPC分类号：C30B29/24;C30B19/00;C30B29/02;C30B25/02;H01L43/10;H01P3/00;H01Q1/38
申请日期：
2017-05-11
申请人：
电子科技大学

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专利名称	非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法和用途
申请号	CN201710331977.5	申请日期	2017-05-11
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-22	公开/公告号	CN107190321A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/24 分子式为AMeO3的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如正铁氧体〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;2;4;;;C;3;0;B;1;9;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;H;0;1;P;3;/;0;0;;;H;0;1;Q;1;/;3;8查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	金立川;洪彩云;张怀武;饶毅恒;杨青慧;钟智勇;文岐业
代理机构	北京酷爱智慧知识产权代理有限公司	代理人	安娜

摘要

一种非互易自旋波异质结波导材料，包括GGG单晶基片；以及YIG/石墨烯异质结材料，所述YIG/石墨烯异质结材料通过在所述GGG单晶基片表面生长一YIG薄膜、并将单层石墨烯转移到所述YIG薄膜烘干处理形成。本发明同时提供了非互易自旋波异质结波导材料的制备方法和用途。本发明制得的YIG/石墨烯异质结薄膜相对于单一YIG薄膜上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即YIG/石墨烯异质结材料的上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著改变。

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