等离子处理方法以及等离子处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202010515418.1
IPC分类号：H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/027;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/46
申请日期：
2017-01-31
申请人：
株式会社日立高新技术

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著录项信息

专利名称	等离子处理方法以及等离子处理装置
申请号	CN202010515418.1	申请日期	2017-01-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-04	公开/公告号	CN111627807A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/306 化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/31；绝缘层的后处理入H01L 21/3105）〔2〕 H01L21/3065 等离子腐蚀；活性离子腐蚀〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;5;H;1;/;4;6查看分类表>
申请人	株式会社日立高新技术	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立高新技术	当前权利人	株式会社日立高新技术
发明人	寺仓聪志;森政士;荒濑高男;岩濑拓
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	柯瑞京

摘要

本发明提供等离子处理方法及其处理装置，在对使用了含硼的无定形碳膜的层叠膜进行蚀刻时，通过实现高选择比、高蚀刻速率而能够进行连贯加工，通过简化掩模成膜工序来实现包括前后工序在内的高处理量化，进而具有垂直加工的形状控制性。本发明是通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模的等离子处理方法，其特征在于，使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体或者氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻。

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