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一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510952593.6
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L21/02
  • 申请日期:
    2015-12-16
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法
申请号CN201510952593.6申请日期2015-12-16
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2016-05-25公开/公告号CN105609585A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
湖南省长沙市长沙高新开发区尖山路39号长沙中电软件园有限公司总部大楼G0575室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南汇思光电科技有限公司当前权利人湖南汇思光电科技有限公司
发明人陈星佑;张永刚;顾溢;马英杰
代理机构上海泰能知识产权代理事务所代理人黄志达
摘要
本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法,包括:采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层,用两个或以上气态源进行生长,III族束源为固态,束流由快门切换实现控制;V族束源为气态,由压力或流量调节V族束流强度或V‑III比,获得组分递变过渡层。用本发明的材料生长方法获得的过渡层可以有效地缓解异质结器件中异质界面处的能带尖峰或晶格和组分突变对器件性能带来的负面效应,从而有利于提高器件性能或发展新型器件。

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