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集成电路装置的形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201911047861.4
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2019-10-30
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称集成电路装置的形成方法
申请号CN201911047861.4申请日期2019-10-30
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2020-05-08公开/公告号CN111128859A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人黄心岩;李劭宽;李承晋;陈海清;眭晓林
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
一种集成电路装置的形成方法,此处提供具有内连线结构的集成电路的例子与其形成方法。在一些例子中,方法包括接收工件,其包含基板与内连线结构。内连线结构包括第一导电结构位于第一层间介电层中。选择性地形成阻挡层于第一导电结构上,而不形成阻挡层于第一层间介电层上。选择性地形成对准结构于第一层间介电层上,而不形成对准结构于阻挡层上。自第一导电结构移除阻挡层,并形成第二层间介电层于对准结构与第一导电结构上。图案化第二层间介电层以定义第二导电结构所用的凹陷,并形成第二导电结构于凹陷中。

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