芯片低温升高光中心的散射光贴片LED元件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202121571311.5
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/64
申请日期：
2021-07-09
申请人：
深圳市广社照明科技有限公司

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著录项信息

专利名称	芯片低温升高光中心的散射光贴片LED元件
申请号	CN202121571311.5	申请日期	2021-07-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;3;3;/;5;6;;;H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	深圳市广社照明科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区横岗街道大康社区山子下路1号A栋4楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市广社照明科技有限公司	当前权利人	深圳市广社照明科技有限公司
发明人	陈建伟
代理机构	成都顶峰专利事务所（普通合伙）	代理人	李崧岩

摘要

本实用新型公开了一种芯片低温升高光中心的散射光贴片LED元件，包括电子电路板、LED倒装芯片和封装体，封装体为采用一次封装工艺包覆在LED倒装芯片外的硅胶封装体；硅胶封装体的高度大于3mm；硅胶封装体与电子电路板连接的一端的直径大于电子电路板的宽度且小于电子电路板的长度，以使硅胶封装体的两侧置于电子电路板外且电子电路板的两端置于硅胶封装体外。采用上述结构，可使本专利获得更高的发光中心，更佳的散射光效果，且在大功率条件下降低LED倒装芯片附近的高温高热问题，以此获得更大的发光角度，更大的照射面积，更均匀的光照效果，LED芯片具有更低的温升，由此提高了LED的使用寿命和发光效率，避免因为温度温升对LED芯片造成损坏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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