用于汽车前照灯的LED远近光一体的COB封装工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN201510225322.0
IPC分类号：H01L33/50;H01L33/56;H01L33/62;H01L33/64
申请日期：
2015-05-04
申请人：
华东师范大学;上海产业技术研究院;苏州晶能科技有限公司

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专利名称	用于汽车前照灯的LED远近光一体的COB封装工艺
申请号	CN201510225322.0	申请日期	2015-05-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-29	公开/公告号	CN104810458A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/50 波长转换元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;3;3;/;5;6;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	华东师范大学;上海产业技术研究院;苏州晶能科技有限公司	申请人地址	上海市普陀区中山北路3663号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华东师范大学,上海产业技术研究院,苏州晶能科技有限公司	当前权利人	华东师范大学,上海产业技术研究院,苏州晶能科技有限公司
发明人	张哲娟;孙卓
代理机构	北京连城创新知识产权代理有限公司	代理人	刘伍堂

摘要

本发明涉及汽车配件技术领域，具体地说是一种用于汽车前照灯的LED远近光一体的COB封装工艺。具体步骤如下：（1）采用高温熔融的方法将铜浆料或铜箔层烧结或镀到基板的正面及背面；（2）在基板的正面，采用共晶焊接将LED芯片焊接到铜箔层上；（3）在基板的正面，采用金线打线的工艺，将LED芯片通过金膜层与铜箔层连接；（4）采用模具法或者点胶工艺，利用围胶将每组LED芯片进行阻隔；（5）采用模板喷涂法或者微点胶工艺，在阻隔后的LED芯片的表面直接涂布荧光粉膜层；（6）将经过荧光粉涂布后的LED芯片上覆盖透明或者含荧光粉的硅胶。同现有技术相比，本发明中通过非透明反光围胶和垂直芯片相结合，保证光源发光面的尺寸与位置，控制出光的均匀性。

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