一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010615884.3
IPC分类号：G01F1/684;G01P5/10;B81B3/00;B81C1/00
申请日期：
2010-12-30
申请人：
国家纳米技术与工程研究院

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件及其制作方法
申请号	CN201010615884.3	申请日期	2010-12-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-07	公开/公告号	CN102175287A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01F1/684 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01F 容积、流量、质量流量或液位的测量；按容积进行测量〔2，5〕 G01F1/00 测量连续通过仪表的流体或流动固体材料的流量或质量流量（测量流量比例入G01F 5/00）〔2〕 G01F1/68 应用热效应〔2〕 G01F1/684 结构配置；元件安装，例如与液流有关的〔6〕	IPC分类号	G;0;1;F;1;/;6;8;4;;;G;0;1;P;5;/;1;0;;;B;8;1;B;3;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	国家纳米技术与工程研究院	申请人地址	天津市经济技术开发区第四大街80号C2座变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家纳米技术与工程研究院	当前权利人	国家纳米技术与工程研究院
发明人	高玉翔;牟诗城;高鹏;徐超;吴元庆
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件，它包括一个带有流体通道的硅基，硅基及通道上方有一层薄的、表面粘度低的、导热性良好的绝缘层。制作方法：制成玻璃为基板的镍Ni金属掩模板；用光刻机将通道的图形转移到旋涂有光刻胶的硅片上；使用LPCVD技术在硅片上沉积一层二氧化硅；洗去非通道部分的光刻胶以及沉积在上面的二氧化硅；沉积一层特殊材料制成的绝缘层薄膜；在通道槽上方的绝缘层上测量装置；腐蚀掉通道中的二氧化硅。本发明将通道制作进了结构的内部，避免了传统的热电感应装置暴露在流体中的结构，绝缘层的材料选择表面粘度低、导热性良好的材料，则既可以保证测量数值的准确性，又可以大幅度的减少流体中杂质对流量计的污染。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供