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监测半导体存储设备可靠性的方法及其装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910146413.X
  • IPC分类号:G11C29/00;G11C11/34;G11C5/00
  • 申请日期:
    2009-06-02
  • 申请人:
    深圳市朗科科技股份有限公司
著录项信息
专利名称监测半导体存储设备可靠性的方法及其装置
申请号CN200910146413.X申请日期2009-06-02
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2010-09-08公开/公告号CN101826367A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C29/00IPC分类号G;1;1;C;2;9;/;0;0;;;G;1;1;C;1;1;/;3;4;;;G;1;1;C;5;/;0;0查看分类表>
申请人深圳市朗科科技股份有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区高新区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市朗科科技股份有限公司当前权利人深圳市朗科科技股份有限公司
发明人卢赛文
代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司代理人余朦;王艳春
摘要
本申请提供了一种监测半导体存储设备可靠性的方法及装置,并提供了一种监测半导体存储设备可靠性的SMART方法。其中,半导体存储设备包括半导体存储介质,监测半导体存储设备可靠性的SMART方法包括:执行SMART命令,获取半导体存储介质的擦写信息;将擦写信息与预设的寿命阈值进行比较;以及根据比较的结果,确定半导体存储设备的可靠性。通过监测擦写信息,能够有效监测半导体存储设备的可靠性。

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