测试结构及其形成方法、冲洗工艺的冲洗时间判定方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110459708.X
IPC分类号：H01L23/544;H01L21/02
申请日期：
2011-12-31
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	测试结构及其形成方法、冲洗工艺的冲洗时间判定方法
申请号	CN201110459708.X	申请日期	2011-12-31
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-07-03	公开/公告号	CN103187402A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	柳会雄;林爱梅
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种测试结构，包括：基底；位于所述基底表面的图案层，所述图案层中至少包括第一图形和第二图形，且至少第一图形或第二图形的面积大于2500平方微米，所述第一图形和第二图形之间的距离等于或小于对应的设计规则；位于所述图案层表面的检验层。同时，本发明的实施例还提供了上述测试结构的形成方法，以及采用上述测试结构，进行冲洗工艺的冲洗时间判定方法，提供上述方法可以找到合适的制造工艺的参数，提高半导体器件的良率，提高集成电路的性能。

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