一种晶片热分离方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211106698.6
IPC分类号：B23K26/36;B23K26/00
申请日期：
2022-09-13
申请人：
西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶片热分离方法
申请号	CN202211106698.6	申请日期	2022-09-13
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-14	公开/公告号	CN115178884A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23K26/36 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23K 钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工（用金属的挤压来制造金属包覆产品入B21C 23/22；用铸造方法制造衬套或包覆层入B22D 19/08；用浸入方式的铸造入B22D 23/04；用烧结金属粉末制造复合层入B22F 7/00；机床上的仿形加工或控制装置入B23Q；不包含在其他类目中的包覆金属或金属包覆材料入C23C；燃烧器入F23D） B23K26/00 用激光束加工，例如焊接，切割或打孔〔2，3，2014.01〕 B23K26/36 除掉材料（B23J26/55，B23K26/57优先）〔7，2014.01〕	IPC分类号	B;2;3;K;2;6;/;3;6;;;B;2;3;K;2;6;/;0;0查看分类表>
申请人	西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）	申请人地址	山西省太原市和平南路115号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）	当前权利人	西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
发明人	张志耀;牛奔;胡北辰;张红梅;张彩云;张蕾;吕麒鹏
代理机构	太原科卫专利事务所（普通合伙）	代理人	朱源

摘要

本发明属于半导体加工领域，涉及一种从SiC等晶锭上分离薄晶片的方法，具体为一种晶片热分离方法，该方法在已经形成破坏层的晶锭上利用热收缩材料实现薄晶片分离。该方法采用粘接剂将热缩性材料粘接于晶锭上待分离晶片的上表面，待粘接剂完全固化后，对热缩性材料进行加热，使其收缩，在缩力的作用下，晶锭破坏层在拉应力的作用下产生裂纹，由边缘至内部逐渐实现待分离晶片从晶锭上的分离。特别地，在加热过程采用选择性加热方式，使热缩性材料的收缩程度可控地进行，从而避免收缩应力太大导致的晶片破碎。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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