半导体装置及制造半导体装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010441043.9
IPC分类号：H01L23/538;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582;H01L21/768
申请日期：
2020-05-22
申请人：
爱思开海力士有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体装置及制造半导体装置的方法
申请号	CN202010441043.9	申请日期	2020-05-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-11	公开/公告号	CN112786564A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/538 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/538 制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	李南宰
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	刘久亮;黄纶伟

摘要

半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括：第一芯片，其包括第一基板、第一单元阵列、第一金属布线和第一接合结构，其中第一接合结构包括穿过第一金属布线的第一贯穿部和形成在第一基板中的第一接合部；以及第二芯片，其接合至第一芯片，包括第二基板、第二单元阵列、第二金属布线和第二接合结构，其中第二接合结构包括穿过第二金属布线的第二贯穿部和形成在第二基板中的第二接合部。第一芯片的第一接合部被配置为接合至第二芯片的第二贯穿部。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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