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MIM电容器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310121622.5
IPC分类号：H01L23/522;H01L21/02
申请日期：
2013-04-09
申请人：
上海华力微电子有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	MIM电容器及其制造方法
申请号	CN201310121622.5	申请日期	2013-04-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-10	公开/公告号	CN103199081A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	童智钊
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陆花

摘要

本发明提供了MIM电容器及其制造方法。所述MIM电容器，包括第一金属层和形成于所述第一金属层上的绝缘层，所述绝缘层包括形成于所述第一金属层上的缓冲绝缘层和形成于所述缓冲绝缘层上的至少一层本体绝缘层，其中所述缓冲绝缘层的厚度小于本体绝缘层的厚度。采用上述MIM电容器，可以有效减少绝缘层的脱膜现象，从而提高MIM电容器的连接性能和可靠性能。

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