半导体存储器阵列的自对准方法以及由此制造的存储器阵列

发明专利无效专利

申请号：
CN01138504.9
IPC分类号：--
申请日期：
2001-09-19
申请人：
硅存储技术公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体存储器阵列的自对准方法以及由此制造的存储器阵列
申请号	CN01138504.9	申请日期	2001-09-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-08-07	公开/公告号	CN1362736
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	硅存储技术公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	硅存储技术公司	当前权利人	硅存储技术公司
发明人	C·H·王;A·莱维
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;梁永

摘要

本发明涉及一种自对准方法，用于在一个半导体衬底中形成浮栅存储单元的半导体存储器阵列，该半导体存储器阵列具有在衬底上的多个间隔开的隔离区和有源区，它们在列方向上大致相互平行，本发明还涉及由此方法而形成的半导体存储器阵列。浮栅是在每个有源区中形成的。在行方向上，沟槽是以包括内缩或不同宽度的方式来形成的。沟槽中填充导电材料来形成导电材料塞块，这些导电材料塞块构成源区，源区有邻近浮栅设置并与其绝缘的第一部分和在浮栅上面设置并与其绝缘的第二部分。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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