分体式钽坩埚及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710175320.0
IPC分类号：C30B35/00;C30B23/00;F27B14/10
申请日期：
2007-09-28
申请人：
中国科学院物理研究所

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著录项信息

专利名称	分体式钽坩埚及其制造方法
申请号	CN200710175320.0	申请日期	2007-09-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-16	公开/公告号	CN101220521
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B35/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B35/00 未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;F;2;7;B;1;4;/;1;0查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	陈小龙;鲍慧强;王刚;王文军;李龙远;李辉
代理机构	北京中创阳光知识产权代理有限责任公司	代理人	尹振启

摘要

本发明公开了一种经碳化处理的分体式Ta坩埚及其制造方法，其中本发明的分体式Ta坩埚，包括分别经碳化处理的坩埚盖、坩埚筒和圆凸台的坩埚底，圆凸台的坩埚底具有上凸台和下底座，其中坩埚筒与圆凸台坩埚底的上凸台分体进行配合。本发明分体式坩埚的各部件分别经石墨在高温下进行处理，从而获得坩埚部件表面上均为TaC的坩埚部件，由此坩埚部件配合形成的坩埚成本低廉、寿命长，易于操作，具有重要的工业应用价值。

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