一种具有混镀的高效真空电镀装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921687953.4
IPC分类号：C23C14/50;C23C14/24
申请日期：
2019-10-10
申请人：
赫得纳米科技重庆有限公司

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著录项信息

专利名称	一种具有混镀的高效真空电镀装置
申请号	CN201921687953.4	申请日期	2019-10-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/50 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/50 基座〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;5;0;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4查看分类表>
申请人	赫得纳米科技重庆有限公司	申请人地址	重庆市璧山区青杠街道五显村变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	赫得纳米科技重庆有限公司	当前权利人	赫得纳米科技重庆有限公司
发明人	陈开云;费明跃;李健
代理机构	重庆乐泰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	林慰敏

摘要

本实用新型涉及真空镀膜机技术领域，尤其为一种具有混镀的高效真空电镀装置，包括真空电镀框和靶材，所述真空电镀框的底端固定连接有底框，所述底框的内侧固定连接有第一伺服电机，所述第一伺服电机的顶端转动连接有转轴，所述转轴的外侧固定连接有储存框，所述储存框的内侧底端固定连接有第二伺服电机，所述第二伺服电机的顶端转轴的外侧固定连接有支撑板，所述真空电镀框的左端面内侧转动连接有连接轴，所述连接轴的外侧转动连接有盖框，所述真空电镀框的顶端固定连接有顶板，通过设置的固定环、定位块和扭簧，能够对固定环和支撑板进行连接，便可以把产品固定在固定环的外侧，便于对产品的位置进行固定，可以方便的对产品进行电镀。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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