溅射太阳能选择性吸收涂层及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN85100142
IPC分类号：--
申请日期：
1985-04-01
申请人：
清华大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	溅射太阳能选择性吸收涂层及制造方法
申请号	CN85100142	申请日期	1985-04-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	1986-07-23	公开/公告号	CN85100142
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	殷志强
代理机构	清华大学专利事务所	代理人	胡兰芝

摘要

溅射太阳能选择性吸收涂层，应用于太阳能集热器。采用单个圆柱（或平板）铝阴极，于氩气中溅射铝膜为底层，先后于氩－氮（或氩－一氧化碳）混合气体与纯氮（纯一氧化碳）中反应溅射成份渐变的铝－氮（或铝－碳－氧）复合吸收材料。涂层的太阳吸收率α≈０．９３，发射率ε≈０．０６（１００℃）。本发明使溅射系统结构简化，溅射效率提高。新涂层放气量少，制造中真空烘烤温度可降至４００～４５０℃；缩短了生产周期，降低能耗，可允许用软化点低的玻璃。

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