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一种发光二极管的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910105809.X
  • IPC分类号:H01L33/00;B82B1/00
  • 申请日期:
    2009-02-27
  • 申请人:
    清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称一种发光二极管的制备方法
申请号CN200910105809.X申请日期2009-02-27
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2010-09-01公开/公告号CN101820036A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;B;8;2;B;1;/;0;0查看分类表>
申请人清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司申请人地址
北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司当前权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人李群庆;姜开利;范守善
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种发光二极管的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,在该基底的表面依次形成一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层;提供一碳纳米管结构,将碳纳米管结构直接铺设在所述第二半导体层的表面,形成一碳纳米管透明导电膜;形成一保护层,覆盖所述碳纳米管结构;除去保护层的第一区域,以暴露出部分碳纳米管结构;在暴露出的碳纳米管结构的表面制备一第一电极;除去保护层的第二区域以及该第二区域以下的碳纳米管结构、第二半导体层和活性层相应部分,以暴露出部分第一半导体层;和在所述暴露出的第一半导体层的表面制备一第二电极。

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