用于控制直拉法硅单晶氧含量的变频磁场装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201521016961.8
IPC分类号：C30B15/00;C30B30/04;C30B29/06
申请日期：
2015-12-09
申请人：
天津市环欧半导体材料技术有限公司

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专利名称	用于控制直拉法硅单晶氧含量的变频磁场装置
申请号	CN201521016961.8	申请日期	2015-12-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;3;0;/;0;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	天津市环欧半导体材料技术有限公司	申请人地址	天津市西青区华苑产业园区（环外）海泰东路12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津市环欧半导体材料技术有限公司	当前权利人	天津市环欧半导体材料技术有限公司
发明人	孙毅;于书瀚;孙昊;郑海峰;朱鹏浩;王林
代理机构	天津中环专利商标代理有限公司	代理人	王凤英

摘要

本实用新型公开了一种用于控制直拉法硅单晶氧含量的变频磁场装置。变频磁场装置包括PLC控制器、编码器和触摸屏；单晶长度计量器连接编码器，编码器连接PLC控制器，PLC控制器分别与磁场触发板、触摸屏连接，磁场触发板连接磁场电控柜，磁场电控柜连接PLC控制器。本实用新型利用变频磁场装置实现了对磁场强度的控制，不仅降低了磁场能耗，而且又能控制单晶氧含量。设置后的PLC可以对磁场电流进行实时监控，并对磁场强度实现渐变，平缓的调节，若出现报警，可及时反馈给PLC，以关闭磁场实现磁场自我保护。

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