基于全对称线圈结构的磁隔离器

发明专利有效专利

申请号：
CN202010629393.8
IPC分类号：H01F5/02;G01R15/20
申请日期：
2020-07-03
申请人：
西安智源导通电子有限公司;西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	基于全对称线圈结构的磁隔离器
申请号	CN202010629393.8	申请日期	2020-07-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-11	公开/公告号	CN111653410A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F5/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F5/00 线圈（超导线圈入H01F 6/06；信号类型的固定电感器入H01F 17/00） H01F5/02 绕在非磁性支架上的，例如绕在线圈架上	IPC分类号	H;0;1;F;5;/;0;2;;;G;0;1;R;1;5;/;2;0查看分类表>
申请人	西安智源导通电子有限公司;西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市高新区丈八街办科技二路72号西安软件园零壹广场11402-2 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安智源导通电子有限公司,西安电子科技大学	当前权利人	西安智源导通电子有限公司,西安电子科技大学
发明人	郑峰;付沛源;韩涛
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	陈宏社;王品华

摘要

本发明提出了一种基于全对称结构的磁隔离器，属于磁性传感器领域，旨在解决现有技术中存在的CMTI指标难以提升的问题。包括自上而下依次层叠的磁场发生单元、隔离介质板、磁场感应单元和介质基板，磁场发生单元的上表面，以及磁场感应单元与介质基板之间，各设置有用以吸收外界干扰磁场的屏蔽层，磁场发生单元包括全对称线圈结构和第一介质体，全对称线圈结构镶嵌在第一介质体内，且包括上下排布且旋转方向相同的平面螺旋状第一线圈和第二线圈，第一线圈的输出端与第二线圈的输入端之间通过导体柱连接，导体柱位于第一线圈和第二线圈的旋转轴上，该旋转轴与第一介质体的中心法线重合，第二线圈的底面与第一介质体的底面重合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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