半导体芯片的封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201721901346.4
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/498;H01L23/29
申请日期：
2017-12-29
申请人：
中芯长电半导体（江阴）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体芯片的封装结构
申请号	CN201721901346.4	申请日期	2017-12-29
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9查看分类表>
申请人	中芯长电半导体（江阴）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司	当前权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司
发明人	仇月东;林正忠
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	罗泳文

摘要

本实用新型提供一种半导体芯片的封装结构，封装结构包括：第一介质层，具有第一图形窗口，第一图形窗口贯穿于第一介质层的第一面及相对的第二面；第二介质层，第二介质层具有第二图形窗口，第二图形窗口显露第一图形窗口；图形线路层，形成于第一图形窗口及第二图形窗口中，图形线路层藉由第一图形窗口及第二图形窗口定义；半导体芯片，电性接合于图形线路层上；封装材料，包覆于半导体芯片；以及金属凸块，形成于第一介质层的第二面上，并与图形线路层电性连接。本实用新型结合了前端重新布线层和后端重新布线层的制造工艺，可以获得细间距的重新布线层，与传统的大马士革工艺相比，可以大大节约工艺成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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