半导体气体传感器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201320818836.3
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2013-12-13
申请人：
苏州纳格光电科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体气体传感器
申请号	CN201320818836.3	申请日期	2013-12-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州纳格光电科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼104室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州纳格光电科技有限公司	当前权利人	苏州纳格光电科技有限公司
发明人	张克栋;徐红艳;崔铮
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨林洁

摘要

本实用新型揭示了一种半导体气体传感器，包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的加热电极、以及位于所述加热电极形成的热场中的信号感测电极，所述加热电极和所述信号感测电极彼此绝缘，所述加热电极包括邻近所述信号感测电极主加热部以及相对远离所述信号感测电极的次加热部；其中，所述主加热部的电阻大于所述次加热部的电阻。本实用新型提供的半导体气体传感器通过将加热电极中邻近信号感测电极的主加热部设置为相对远离信号感测电极的次加热部具有更大的电阻，保证了加热电极产生的热量的更有效利用，降低了表面功耗损失，进而降低了传感器功耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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