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一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710121747.2
  • IPC分类号:H01L21/18
  • 申请日期:
    2007-09-13
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法
申请号CN200710121747.2申请日期2007-09-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-02-20公开/公告号CN101127303
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/18IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;1;8查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
北京市海淀区颐和园路5号北京大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京大学当前权利人北京大学
发明人俞大鹏;宋祎璞;王朋伟
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人关畅
摘要
本发明公开了一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法,包括如下步骤:1)Mn掺杂:在Ga2O3纳米线上原位掺杂Mn;2)氨化:将掺有Mn的Ga2O3纳米线在氨气气氛下进行氨化,得到GaMnN稀磁半导体纳米线。本发明方法简单,对设备要求较低,所制备的GaMnN纳米线具有很强的铁磁性,居里温度高于室温,而且其磁性掺杂浓度可控,纳米线纯度高,产量大,线形可控(调节气压等生长参数可以制备出直径几十纳米到几百纳米的纳米线),可以用于自旋场效应三极管(spin-FET),自旋发光二极管(spin-LED),自旋共振隧穿器件(spin-RTD)等纳米自旋电子器件的制造,具有广阔的应用前景。

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