在铜镶嵌制程中形成金属－绝缘－金属型(MIM)电容器的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02101550.3
IPC分类号：--
申请日期：
2002-01-09
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

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著录项信息

专利名称	在铜镶嵌制程中形成金属－绝缘－金属型(MIM)电容器的方法
申请号	CN02101550.3	申请日期	2002-01-09
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-23	公开/公告号	CN1431698
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	程卫华
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陈亮

摘要

本发明提供一种在铜镶嵌制程中表成MIM电容器的方法。在晶体管上覆盖绝缘层，且于其中形成民点接触窗和接触窗后，于其上方表成叠层绝缘材质结构。在此叠层绝缘材质结构中形成贯穿的第一开口，并暴露出接触窗。并且，于此叠层绝缘村质结构的下半部中形成至少一个第二开口，其中之一暴露出节点接触窗，并于叠层绝缘材质结构的上半部中形成一个第二开口，此第二开口涵盖于所有的第二开口上方。之后于第二开口和第三开口中形成MIM电容器。其上电极和下电极均为铜金属，其电容器介电层由上下两层阻障层所夹层。而第一开口则同时形成铜插塞。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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