纳米级TiO2加入ZnO压敏电阻配方中的方法

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专利名称	纳米级TiO2加入ZnO压敏电阻配方中的方法
申请号	CN99120639.8	申请日期	1999-12-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-11-15	公开/公告号	CN1273424
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院等离子体物理研究所	申请人地址	安徽省合肥市1126信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院等离子体物理研究所	当前权利人	中国科学院等离子体物理研究所
发明人	冯士芬;季幼章
代理机构	安徽合肥大夏专利事务所	代理人	季晟

摘要

一种将纳米级TiO2加入ZnO压敏电阻配方中的方法，先将纳米TiO2同分散剂混合均匀，然后再加入ZnO压敏电阻的配方中，采用电子陶瓷工艺，经振磨混合、造粒成型、1260℃烧结，制成ZnO压敏电阻。纳米掺杂ZnO压敏电阻参数性能优于微米TiO2掺杂。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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