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半导体结构的清洗方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510081881.9
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2015-02-15
  • 申请人:
    盛美半导体设备(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构的清洗方法
申请号CN201510081881.9申请日期2015-02-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-10-05公开/公告号CN105990096A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人盛美半导体设备(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人盛美半导体设备(上海)股份有限公司当前权利人盛美半导体设备(上海)股份有限公司
发明人贾照伟;王坚;王晖
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人暂无
摘要
本发明揭示了一种半导体结构的清洗方法,所清洗的半导体结构至少裸露出了硅的氧化物表面和硅的氮化物表面,该清洗方法采用干法清洗工艺,通过气相状态的清洗物质对硅的氧化物表面以及硅的氮化物表面进行清洗,其中,清洗物质包括HF气体和醇的气体。在清洗过程中,控制工艺条件使清洗物质对硅的氮化物表面和对硅的氧化物表面的刻蚀速率相等,从而保证了在实现清洗目的的基础上,清洗之后获得的半导体结构还能具有平整的表面。

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