一种铟镓砷红外探测器材料制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710508453.9
IPC分类号：H01L31/109;H01L31/18
申请日期：
2017-06-28
申请人：
超晶科技（北京）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种铟镓砷红外探测器材料制备方法
申请号	CN201710508453.9	申请日期	2017-06-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-13	公开/公告号	CN107910402A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/109 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/109 为PN异质结型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	超晶科技（北京）有限公司	申请人地址	北京市海淀区学院路30号方兴大厦906室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	超晶科技（北京）有限公司	当前权利人	超晶科技（北京）有限公司
发明人	王庶民;潘文武
代理机构	北京方安思达知识产权代理有限公司	代理人	陈琳琳;李彪

摘要

本发明公开了一种铟镓砷红外探测器件材料的制备方法，包括：1)在磷化铟供体衬底上外延生长缓冲层；2)在缓冲层上形成铟铝砷牺牲层，在牺牲层上形成InP外延薄层；3)在外延薄层上形成InAlAs牺牲层与InP外延薄层；4)重复步骤3)至得到N个InAlAs牺牲层与InP外延薄层；5)从外延薄层侧进行离子注入，在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，后将最上一层的外延薄层与硅受体衬底键合，并进行退火处理，使顶层薄膜剥离，对剥离部分表面的InAlAs牺牲层进行表面处理；重复本步骤得到N个Si基InP柔性衬底和含牺牲层的InP供体衬底；6)在柔性衬底上进行InGaAs探测器结构外延生长。本发明为衬底可重复利用、柔性衬底可大规模集成、省去减薄工艺的铟镓砷红外探测器件制备方法。

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