金属硅酸盐-氧化硅基多形态荧光体和发光装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200680008866.0
IPC分类号：H01L29/15;H01L29/26;C09K11/55;C09K11/59;C09K11/54;C09K11/62;C09K11/64;C09K11/79;C09K11/57;C09K11/58;C09K11/60
申请日期：
2006-03-23
申请人：
沙诺夫公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	金属硅酸盐-氧化硅基多形态荧光体和发光装置
申请号	CN200680008866.0	申请日期	2006-03-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-12	公开/公告号	CN101142683
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/12 按其构成材料的特征区分的〔2〕 H01L29/15 带有周期性或准周期性电势变化的结构，如多量子阱、超晶格（应用于光控制的这种结构入G02F1/017；应用于半导体激光器的入H01S5/34）〔6，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;1;5;;;H;0;1;L;2;9;/;2;6;;;C;0;9;K;1;1;/;5;5;;;C;0;9;K;1;1;/;5;9;;;C;0;9;K;1;1;/;5;4;;;C;0;9;K;1;1;/;6;2;;;C;0;9;K;1;1;/;6;4;;;C;0;9;K;1;1;/;7;9;;;C;0;9;K;1;1;/;5;7;;;C;0;9;K;1;1;/;5;8;;;C;0;9;K;1;1;/;6;0查看分类表>
申请人	沙诺夫公司	申请人地址	美国新泽西变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	渲染材料公司	当前权利人	渲染材料公司
发明人	田永驰
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李帆

摘要

本发明特别提供了依据下式的荧光体：[(BvSiO3)x(Mv2SiO3)y(Tv2(SiO3)3)z]m·(SiO2)n:Rε，X(I)，其中，x、y和z为任何值，其中x+y+z＝1；Bv为一种或多种二价碱土金属离子，Mv为一种或多种一价碱金属离子，Tv为一种或多种三价金属离子；Rε为一种或多种选自Eu2+或Mn2+离子的激活剂，X为一种或多种卤化物，m为1或0，条件是如果m为1并且提供对支持有用发光有效的氧化硅量，则n大于3，或者如果m为0，则n为1。

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