一种集成在同一硅片上的加速度和角速度传感器构造

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201420167123.X
IPC分类号：G01P3/44;G01P15/12
申请日期：
2014-04-08
申请人：
韩余庆

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著录项信息

专利名称	一种集成在同一硅片上的加速度和角速度传感器构造
申请号	CN201420167123.X	申请日期	2014-04-08
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01P3/44 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01P 线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示（利用陀螺效应测量角速率入G01C 19/00；用于测量两个或多个运动变量的组合测量设备入G01C 23/00；声速测量入G01H 5/00；光速测量入G01J 7/00；通过无线电波或其他波的反射或再辐射，且基于传播效应（例如多普勒效应）、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T） G01P3/00 线速度或角速度的测量；线速度或角速度差值的测量（G01P 5/00至G01P 11/00优先；利用陀螺效应测量角速率入G01C 19/00） G01P3/42 以所用电或磁的方法为特征的装置（G01P 3/66优先） G01P3/44 用于角速度的测量（G01P 3/56优先）	IPC分类号	G;0;1;P;3;/;4;4;;;G;0;1;P;1;5;/;1;2查看分类表>
申请人	韩余庆	申请人地址	上海市密云路1018号复旦科技园10号楼乙101室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	韩余庆	当前权利人	韩余庆
发明人	韩余庆;韩筠
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型涉及一种集成在同一硅片上的加速度和角速度传感器构造，其特征在于：包括依次封装在同一框架内的第一盖芯片(S1)、主芯片(S2)、第二盖芯片(S3)。所述的主芯片(S2)为长方形硅片，具有前正反两面，各面均包括固定在芯片整体硅片上的电容模块、金属底盘模块、与加速与惯性测量模块，芯片正面电容模块的背面为芯片反面的加速与惯性测量模块，芯片正面加速与惯性测量模块的背面为芯片反面的电容模块；所述电容模块置于硅片上的一个倒梯形凹陷区域内；所述的电源底盘模块包括6个电源底盘；所述的加速与惯性测量模块包括压阻式细杆与一个长方形硅片，该长方形硅片通过四周的压阻式细杆与芯片整体硅片固定，在位移时会对四周的压阻式细杆产生拉伸或压缩的作用力。与现有技术相比，本实用新型具有精度高、低成本、使用便捷等优点。

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