发光二极管

发明专利有效专利

申请号：
CN201210089076.7
IPC分类号：H01L27/15
申请日期：
2012-03-30
申请人：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

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专利名称	发光二极管
申请号	CN201210089076.7	申请日期	2012-03-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-23	公开/公告号	CN103367383A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/15 包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;5查看分类表>
申请人	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	申请人地址	北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	当前权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
发明人	金元浩;李群庆;范守善
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种发光二极管，包括：至少两个发光单元，所述至少两个发光单元位于同一平面；每一发光单元包括一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极；所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置；所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接；每一发光单元中的活性层、第二半导体层及第二电极与其他发光单元中的活性层、第二半导体层及第二电极相互间隔设置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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