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沟槽电容器及制造沟槽电容器之方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410056768.7
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/8242
申请日期：
2004-08-18
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	沟槽电容器及制造沟槽电容器之方法
申请号	CN200410056768.7	申请日期	2004-08-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-02-23	公开/公告号	CN1585096
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	联邦德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司
发明人	H·塞德;A·塞格;S·库德卡;M·古茨彻
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张雪梅;梁永

摘要

在根据本发明之用于制造在一半导体基板(10)中且具有一低阻抗内部电极(3)以用于内存装置之记忆胞元中之一沟槽电容器(1)的方法中，一分隔层(6)系被提供于该沟槽电容器(1)之该主动区域(13)中之一介电层(5)之上。之后，由一金属或是一金属化合物所制成的一低阻抗内部电极(3)系会被导入该主动区域(13)以及被衬以一绝缘层(7)之该颈项区域(12)两者之中。

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