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一种半导体器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202120589087.6
  • IPC分类号:H01L21/76;H01L21/027
  • 申请日期:
    2021-03-19
  • 申请人:
    泉芯集成电路制造(济南)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件
申请号CN202120589087.6申请日期2021-03-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/76IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人泉芯集成电路制造(济南)有限公司申请人地址
山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人泉芯集成电路制造(济南)有限公司当前权利人泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人刘乃硕
代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人张洋
摘要
本实用新型提供一种半导体器件,涉及半导体技术领域,包括衬底以及在衬底上设置的外延层,外延层用于形成具有多个沟槽的半导体图案层,在外延层上设置有多个凸台结构,每个凸台结构包括隔离凸台和环设于隔离凸台周侧的牺牲层,隔离凸台用于定义相邻两个沟槽的隔断区。以此通过牺牲层来对光刻胶层在凸台结构表面的收缩进行预先补偿,使得隔离凸台能够在图案化光刻胶层具有一定收缩的情况依然可以得到较好的保留,从而避免未考虑光刻胶收缩时直接使凸台结构作为隔离凸台,导致最终形成的隔离凸台被过刻蚀,进而容易引发沟槽底部桥接的现象。

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