SONOS器件中ONO结构的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310302913.4
IPC分类号：H01L21/8247
申请日期：
2013-07-18
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	SONOS器件中ONO结构的制造方法
申请号	CN201310302913.4	申请日期	2013-07-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-09	公开/公告号	CN103346128A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	江润峰;孙天拓
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;林彦之

摘要

本发明公开了一种SONOS器件中ONO结构的制造方法包括：制备底层二氧化硅；制备夹层氮化硅；采用低压自由基氧化法使夹层氮化硅的顶层与自由基反应生成二氧化硅层。本发明提出的利用炉管低压自由基氧化的工艺方法来制备ONO结构中的顶层二氧化硅，可以使顶层二氧化硅层均具有较好的厚度均匀度，从而提高ONO结构三个层次的厚度均匀度；与现有技术的HTO淀积和高温致密化两步法工艺相比，简化了顶层致密化工艺步骤，使得工艺更简单，适于工业化；本发明具有较高的单位小时产量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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