有源TSV转接板结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011634432.X
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/538;H01L21/48
申请日期：
2020-12-31
申请人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	有源TSV转接板结构及其制造方法
申请号	CN202011634432.X	申请日期	2020-12-31
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-05-28	公开/公告号	CN112864118A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	当前权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人	耿菲;曹立强;张凯
代理机构	上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张东梅

摘要

本发明提供了一种有源TSV转接板结构及其制造方法，包括：在第一芯片上表面形成有源功能层；在有源功能层上表面形成未贯穿第一芯片的第一TSV结构；形成第一介质层，所述第一介质层完全覆盖有源功能层上表面以及第一TSV结构的侧壁和底部；在第一TSV结构内填充导电金属；将有源功能层的电性引出，以使其与导电金属电连接；对第一芯片下表面进行处理，暴露出第一TSV结构内的导电金属；将导电金属的电性由第一芯片下表面引出。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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