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一种TopCon结构太阳能电池制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010032131.3
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/0216
  • 申请日期:
    2020-01-13
  • 申请人:
    浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
著录项信息
专利名称一种TopCon结构太阳能电池制备方法
申请号CN202010032131.3申请日期2020-01-13
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-05-26公开/公告号CN111200038A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6查看分类表>
申请人浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司当前权利人浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
发明人熊诗龙;金井升
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人刘新雷
摘要
本发明公开了一种TopCon结构太阳能电池制备方法,包括:步骤1,对制绒后的硅片进行正面硼扩散,形成BSG层;步骤2,对所述硅片进行背面刻蚀之后进行热氧化,形成遂穿氧化层;步骤3,对所述硅片的遂穿氧化层在预定温度下氢气处理预定时间;步骤4,在所述遂穿氧化层沉积非晶硅层;步骤5,对所述非晶硅层进行磷掺杂,形成PSG层,使得掺杂后的所述非晶硅层与所述遂穿氧化层组成TopCon结构。通过采用在氢气氛围中对生长遂穿氧化层的硅片进行处理,减少了硅片氧化层的界面缺陷,提高了硅片表面的钝化质量,使得无需对硅片进行高温退火处理,不会引起掺杂原子对氧化层的破坏作用,提升了太阳能电池的品质。

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