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薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510206317.5
  • IPC分类号:H01L21/77;H01L27/12
  • 申请日期:
    2015-04-27
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
申请号CN201510206317.5申请日期2015-04-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-01公开/公告号CN104752345A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/77IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市华星光电技术有限公司当前权利人深圳市华星光电技术有限公司
发明人吕晓文
代理机构深圳市德力知识产权代理事务所代理人林才桂
摘要
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,包括:基板(1),及形成于基板(1)上的薄膜晶体管和存储电容;所述存储电容包括位于基板(1)上的第一极板(31),位于第一极板(31)之上的栅极绝缘层(3)或者蚀刻阻挡层(5),位于栅极绝缘层(3)或者蚀刻阻挡层(5)之上的第二极板(32);存储电容的两电极板之间只存在栅极绝缘层或者蚀刻阻挡层一层绝缘层,存储电容间绝缘层厚度较薄,电容相对面积较小,开口率较高。

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