EUV光刻用带反射层的基板和EUV光刻用反射型掩模底版

发明专利无效专利

申请号：
CN201180036685.X
IPC分类号：G03F1/24;G03F1/48;G03F1/62
申请日期：
2011-07-26
申请人：
旭硝子株式会社

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专利名称	EUV光刻用带反射层的基板和EUV光刻用反射型掩模底版
申请号	CN201180036685.X	申请日期	2011-07-26
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-04-03	公开/公告号	CN103026296A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/24 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/22 用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外〔EUV〕掩膜；其制备〔2012.01〕 G03F1/24 反射掩膜；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;2;4;;;G;0;3;F;1;/;4;8;;;G;0;3;F;1;/;6;2查看分类表>
申请人	旭硝子株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旭硝子株式会社	当前权利人	旭硝子株式会社
发明人	三上正树;木下健
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	胡烨

摘要

本发明提供Ru保护层的氧化导致的反射率下降得到抑制的EUV掩模底版和用于制造该EUV掩模底版的带功能膜的基板以及该带功能膜的基板的制造方法。所述EUV光刻用带反射层的基板是在基板上依次形成有反射EUV光的反射层和保护该反射层的保护层的EUV光刻用带反射层的基板，其特征在于，所述反射层为Mo/Si多层反射膜，所述保护层为Ru层或Ru化合物层，在所述反射层与所述保护层之间形成有中间层，所述中间层由含0.5～25at％氮、75～99.5at％Si的第一层和含60～99.8at％Ru、0.1～10at％氮、0.1～30at％Si的第二层构成，第一层和第二层的总膜厚为0.2～2.5nm，构成所述中间层的所述第一层形成于所述反射层侧，所述第二层形成于所述第一层上，所述保护层实质上不含Si。

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