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磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210086440.4
  • IPC分类号:G11B5/84;C23C14/00;C23C14/06
  • 申请日期:
    2012-03-28
  • 申请人:
    昭和电工株式会社
著录项信息
专利名称磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置
申请号CN201210086440.4申请日期2012-03-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-10-17公开/公告号CN102737653A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B5/84IPC分类号G;1;1;B;5;/;8;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人昭和电工株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昭和电工株式会社当前权利人昭和电工株式会社
发明人入泽寿和;桥本笃志
代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承恩;田欣
摘要
本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性,能够进行进一步的高记录密度化的磁记录介质的制造方法。所述磁记录介质的制造方法是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上方的层的取向性的取向控制层(11)、易磁化轴相对于非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法,其中,在以由2层以上的磁性层构成上述垂直磁性层,且构成各磁性层的结晶粒子与构成取向控制层(11)的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时,由CoCr合金形成取向控制层(11),通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层(11)而使CoCr合金中掺杂3~15原子%的范围的氮。

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