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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202080017821.X
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/739
  • 申请日期:
    2020-08-31
  • 申请人:
    富士电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN202080017821.X申请日期2020-08-31
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2021-10-19公开/公告号CN113519062A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人富士电机株式会社申请人地址
日本神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士电机株式会社当前权利人富士电机株式会社
发明人樱井洋辅;小野泽勇一
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人周爽;金玉兰
摘要
提供一种半导体装置,其具备:第一导电型的漂移区,其设置于半导体基板;第二导电型的基区,其设置于漂移区的上方;第一导电型的蓄积区,其设置于基区与漂移区之间,且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高;以及电场缓和区,其设置于基区与蓄积区之间,且掺杂浓度比蓄积区的掺杂浓度的峰低,电场缓和区与蓄积区之间的边界为蓄积区的峰的半值位置,电场缓和区的积分浓度为5E14cm‑2以上且5E15cm‑2以下。

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