正型放射线敏感性组合物、固化膜、层间绝缘膜及其形成方法、显示元件以及硅氧烷聚合物

发明专利有效专利

申请号：
CN201010214856.0
IPC分类号：G03F7/075;G03F7/00;G02F1/1333;H01L21/768;H01L23/532;C08G77/04
申请日期：
2010-06-28
申请人：
JSR株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	正型放射线敏感性组合物、固化膜、层间绝缘膜及其形成方法、显示元件以及硅氧烷聚合物
申请号	CN201010214856.0	申请日期	2010-06-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-01-05	公开/公告号	CN101937172A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/075 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/004 感光材料（G03F 7/12，G03F 7/14优先）〔5〕 G03F7/075 含硅的化合物〔5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;7;5;;;G;0;3;F;7;/;0;0;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;3;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;C;0;8;G;7;7;/;0;4查看分类表>
申请人	JSR株式会社	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	JSR株式会社	当前权利人	JSR株式会社
发明人	一户大吾;花村政晓;高濑英明
代理机构	北京三幸商标专利事务所	代理人	刘激扬

摘要

本发明涉及一种正型放射线敏感性组合物、固化膜、层间绝缘膜及其形成方法、显示元件以及硅氧烷聚合物。本发明提供一种与醌二叠氮基化合物的相容性高，在ITO膜蚀刻步骤中能形成耐抗蚀剂剥离液性优良的层间绝缘膜的聚硅氧烷类正型放射线敏感性组合物。该组合物含有[A]硅氧烷聚合物和[B]醌二叠氮基化合物，上述[A]硅氧烷聚合物中的芳基相对于Si原子的含量为超过60摩尔％并在95摩尔％以下。[A]硅氧烷聚合物是至少含有下述式(1)所示的化合物的水解性硅烷化合物的水解缩合物。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供