MRAM-NAND控制器及其数据写入方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911047774.9
IPC分类号：G06F3/06;G06F12/02;G06F13/16
申请日期：
2019-10-30
申请人：
上海磁宇信息科技有限公司

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著录项信息

专利名称	MRAM-NAND控制器及其数据写入方法
申请号	CN201911047774.9	申请日期	2019-10-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-04	公开/公告号	CN112748859A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F3/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F3/00 用于将所要处理的数据转变成为计算机能够处理的形式的输入装置；用于将数据从处理机传送到输出设备的输出装置，例如，接口装置〔4〕 G06F3/06 来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出	IPC分类号	G;0;6;F;3;/;0;6;;;G;0;6;F;1;2;/;0;2;;;G;0;6;F;1;3;/;1;6查看分类表>
申请人	上海磁宇信息科技有限公司	申请人地址	上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海磁宇信息科技有限公司	当前权利人	上海磁宇信息科技有限公司
发明人	戴瑾
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁

摘要

本申请提供一种MRAM‑NAND控制器及其数据写入方法。控制器包括嵌入式MRAM、采用DDR‑DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器、读缓存器与内建于嵌入式MRAM的写缓存。本申请通过将缓存的读/写分隔设计，不但提升数据的读/写速度，在MRAM写入次数有限的条件下优化其使用方式，增加其使用寿命。更进一步，由于MRAM‑NAND控制器的主机接口，采用DDR‑DRAM接口，有助提高控制器及其应用的内存条的读写速度。通过缓存分隔设计，能有效提升、平衡与稳定控制器芯片的读/写作业效能，同时调节工作时序以应对现行主机芯片的兼容性问题，有助提升相关产品的适用性。

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