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一种基于巨磁电阻传感器的金属导体缺陷识别及估计方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310081212.2
  • IPC分类号:G01N27/90
  • 申请日期:
    2013-03-14
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种基于巨磁电阻传感器的金属导体缺陷识别及估计方法
申请号CN201310081212.2申请日期2013-03-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-06-19公开/公告号CN103163216A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/90IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;9;0查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人王超;高鹏;李藩为
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人程毓英
摘要
本发明属于无损检测技术领域,涉及一种基于巨磁电阻传感器的金属导体缺陷识别及估计方法,该方法所采用的检测探头包括激励线圈、巨磁电阻传感器和永磁体,巨磁电阻传感器固定于激励线圈的底部,永磁体固定于激励线圈的外侧,包括:将检测探头放置于被测试件表面,对激励线圈施加正弦信号,移动检测探头对被测试件进行扫描;对巨磁电阻传感器的输出信号进行解调,得到幅值和相角信息;记录检测探头扫描过程中的位置;分别绘制幅值随探头位置变化的曲线和相角随探头位置变化的曲线;对扫描位置是否存在缺陷进行判断;估计缺陷的位置及大小。本发明具有操作简单,响应速度快,实时性好,同时具有判断和估计准确,易于实施等优点。

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