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一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610858443.3
  • IPC分类号:H01L51/05;H01L51/40
  • 申请日期:
    2016-09-29
  • 申请人:
    福州大学
著录项信息
专利名称一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法
申请号CN201610858443.3申请日期2016-09-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-01-04公开/公告号CN106299122A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/05IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人福州大学申请人地址
福建省福州市福清市西环北路36号国家级融侨经济技术开发区福州大学福清研究院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福州大学当前权利人福州大学
发明人陈惠鹏;郭太良;胡道兵;张国成
代理机构福州元创专利商标代理有限公司代理人蔡学俊
摘要
本发明涉及一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法,提供一底栅顶接触结构的非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器,其电荷存储层采用掺有量子点材料的有机绝缘聚合物薄膜;量子点材料为核壳结构,最高被占据分子轨道比壳材料的最高被占据分子轨道高,核材料的最低未被占据分子轨道比壳材料的最低未被占据分子轨道低,在核材料和壳材料之间形成量子阱,使得被捕获的电荷被限制在核材料中,提高电荷存储层的捕获电荷能力,进而增大该非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器的记忆窗,显著提高其保持特性。本发明所提出的方法简单,易操作,投入成本低,增强该存储器的存储性能。

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