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一种低温大单层厚度钛酸铅铁电薄膜的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510041848.X
  • IPC分类号:C04B35/472;C04B35/632
  • 申请日期:
    2005-03-24
  • 申请人:
    西安交通大学
著录项信息
专利名称一种低温大单层厚度钛酸铅铁电薄膜的制备方法
申请号CN200510041848.X申请日期2005-03-24
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2005-10-26公开/公告号CN1686937
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/472IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;7;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;2查看分类表>
申请人西安交通大学申请人地址
陕西省西安市咸宁路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学当前权利人西安交通大学
发明人吴小清;任巍;姚熹;李海燕
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人陈翠兰
摘要
本发明公开了一种低温大单层厚度钛酸铅铁电薄膜的制备方法,用聚醋酸乙烯酯PVAC作为钛酸铅PbTiO3铁电薄膜先驱体的添加剂,制备PbTiO3-PVAC复醇盐-有机物溶液,然后将这种溶液用甩胶法制成凝胶薄膜,将凝胶薄膜进行热处理后,得到结晶的钛酸铅PbTiO3铁电薄膜。本发明缩短了钛酸铅PbTiO3铁电薄膜的制备工艺周期、改善了钛酸铅PbTiO3铁电薄膜的性能、提高了铁电薄膜制备工艺与微电路的集成兼容性。

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