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一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610802133.X
  • IPC分类号:G02B6/138;G02B6/136;G02B6/13
  • 申请日期:
    2016-09-06
  • 申请人:
    江苏大学
著录项信息
专利名称一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法
申请号CN201610802133.X申请日期2016-09-06
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2016-12-14公开/公告号CN106226865A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/138IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;3;8;;;G;0;2;B;6;/;1;3;6;;;G;0;2;B;6;/;1;3查看分类表>
申请人江苏大学申请人地址
江苏省镇江市京口区学府路301号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏大学当前权利人江苏大学
发明人葛道晗;张金花;钱栋梁;张立强;程广贵
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提供一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法,该方法可以快速实现纳米级光子晶体中直孔阵列的自定位周期性制备。该方法包括以下步骤:首先选择材料,接着制备样品,在硅片上PECVD淀积氮化硅,接着进行光刻,再用离子束轰击去除图形区的氮化硅,然后进行第一次电化学腐蚀,氧化形成多孔硅衬底POPS,化学机械抛光、KOH溶液腐蚀形成倒金字塔尖端,最后进行第二次电化学腐蚀制备具有周期性且具有自定位功能的纳米直孔阵列。上该方法易于操作,处理简单,适合大批量快速纳米级周期性孔制备,该方法制备的纳米孔定位更精确。

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