基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510036987.7
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2015-01-23
申请人：
清华大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法
申请号	CN201510036987.7	申请日期	2015-01-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-06	公开/公告号	CN104597082A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	谢丹;李娴;徐建龙;戴睿轩;赵远帆;王靖;向兰;朱淼;朱宏伟;蒋亚东
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	廖元秋

摘要

本发明公开了一种基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法，该传感器件包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，叉指电极层，第一PDDA薄膜层，还原氧化石墨烯薄膜层，第二PDDA薄膜层，分级结构ZnO‑PSS薄膜；制备方法主要包括叉指电极器件制备，制备传感器件所需膜层材料，采用层层自组装方法制备杂化分级结构传感器件。本发明的优点在于充分利用还原氧化石墨烯的大比表面积、低电子噪声、良好半导体性质和带负电的特点，结合分级结构氧化锌的结构特点，制备杂化分级结构敏感薄膜，工艺简单，重复性好，所制备的敏感器件可用于气体检测领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供