一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110984168.0
IPC分类号：C04B35/584;C04B35/64
申请日期：
2021-08-25
申请人：
北京科技大学

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专利名称	一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法
申请号	CN202110984168.0	申请日期	2021-08-25
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-12	公开/公告号	CN113636844A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/584 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/515 以非氧化物为基料的（C04B 35/50、C04B 35/51优先）〔6〕 C04B35/58 以硼化物、氮化物或硅化物为基料的〔4，6〕 C04B35/584 以氮化硅为基料的〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;5;8;4;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4查看分类表>
申请人	北京科技大学	申请人地址	北京市海淀区学院路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京科技大学	当前权利人	北京科技大学
发明人	秦明礼;王月隆;田建军;吴昊阳;贾宝瑞;张一铭;章林;曲选辉
代理机构	北京市广友专利事务所有限责任公司	代理人	张仲波

摘要

本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体和烧结助剂按一定比例与有机溶剂混合后，经过造粒、压制、脱脂后，首先在低温、常压、通氮气条件下预处理1～5h，随后在高温、0.9～10MPa氮气压力下进行烧结。在第一步预处理中，根据氮化硅粉体氧含量调节氧化镁烧结助剂含量，利用氧化镁与氮化硅粉体表面二氧化硅低温反应特性，烧结前降低坯体氧含量，再进行第二步气压烧结。与未经过预处理的烧结体相比，经过两步烧结的氮化硅陶瓷具有更高的致密度，总氧含量和第二相含量有明显减少，可制备热导率大于90W/m·K，抗弯强度大于750MPa的氮化硅陶瓷。

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