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在硅基底中形成绝缘膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03133156.4
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L21/31
  • 申请日期:
    2003-07-29
  • 申请人:
    海力士半导体有限公司
著录项信息
专利名称在硅基底中形成绝缘膜的方法
申请号CN03133156.4申请日期2003-07-29
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2004-05-05公开/公告号CN1494128
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1查看分类表>
申请人海力士半导体有限公司申请人地址
韩国忠清北道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人启方半导体有限公司当前权利人启方半导体有限公司
发明人金奉千
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人宋莉;贾静环
摘要
使用浅槽隔离法在硅基底中形成绝缘膜的方法,包括:依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜;将上述沉积的膜制出图案,以露出基底的一部份,其相当于电场区;蚀刻基底露出的部份以形成一沟槽;在基底上沉积HDP氧化物膜,沉积的厚度与前述沉积的多层膜的总厚度相同,深度与沟槽深度相同以填充沟槽;于HDP氧化物膜上形成反掩模,其覆盖了电场区与作用区的一部份,并且从作用区的边缘向内延伸预定距离;使用反掩模作为蚀刻阻挡物,蚀刻在作用区上形成的HDP氧化物膜的露出部份;去除反掩模;对HDP氧化物膜与多晶硅膜进行CMP;和去除焊接点氮化物膜。由于没有使用氧化物蚀刻剂来去除焊接点氮化物膜,基本上可抑制沟槽的形成。

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