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磁场调控LED发光亮度的复合结构及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410208553.6
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2014-05-16
  • 申请人:
    北京纳米能源与系统研究所
著录项信息
专利名称磁场调控LED发光亮度的复合结构及制作方法
申请号CN201410208553.6申请日期2014-05-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-11-25公开/公告号CN105098000A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人北京纳米能源与系统研究所申请人地址
北京市海淀区学院路30号天工大厦C座 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京纳米能源与系统研究所当前权利人北京纳米能源与系统研究所
发明人翟俊宜;彭铭曾
代理机构北京润平知识产权代理有限公司代理人李婉婉;张苗
摘要
本发明涉及一种磁场调控LED发光亮度的复合结构及制作方法,该复合材料结构由磁致伸缩材料基底和LED叠层薄膜材料组成,以磁致伸缩材料为基底,通过中间接触层将两者形成统一整体,其中所述LED叠层薄膜材料依次为极性衬底、缓冲层、n型导电层、应变有源区、p型电子阻挡层和p型导电层。在外界磁场作用下,通过磁致伸缩材料基底的应力/应变来调控LED叠层薄膜材料中应变有源区的发光效率,从而实现LED发光亮度连续可调的功能。本发明提出的复合结构新颖,且制作方法简单易行,有利于新型磁‑力‑电‑光器件与系统集成,将应用于可调光显示、磁力传感成像、自驱动传感器网络、磁力电光一体化系统等领域。

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