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二极管的制备方法和二极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610294361.0
  • IPC分类号:H01L21/329;H01L29/861
  • 申请日期:
    2016-05-05
  • 申请人:
    北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
著录项信息
专利名称二极管的制备方法和二极管
申请号CN201610294361.0申请日期2016-05-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-11-14公开/公告号CN107346734A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1查看分类表>
申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司申请人地址
北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司当前权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人李理;赵圣哲;马万里
代理机构北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)代理人尚志峰;汪海屏
摘要
本发明提供了一种二极管的制备方法和二极管,其中,二极管的制备方法包括:对N型外延层进行N型离子注入;在N型注入层上依次形成栅氧化层、多晶硅层和隔离氧化层;采用各向同性腐蚀工艺对隔离氧化层进行刻蚀;基于图形化掩膜依次对多晶硅层和栅氧化层进行各向异性刻蚀;通过注入窗口在N型注入层中形成P型体区;去除图形化掩膜,以暴露出多晶硅层的注入预留区域,并在在注入预留区域的下方的N型注入层中形成P‑型注入区域;在P型体区的指定区域形成N+型源区;在形成隔离氧化层的N型衬底上形成金属电极。通过本发明的技术方案,制备的二极管具备反向电压大,反向恢复时间短,并且反向恢复峰值电流小等优点。

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